在半导体领域，分立器件是进行能量转化与应用的器件，是电力电子技术发展的核心。近些年，随着我国半导体技术生产技术的重视。新能源产业的蓬勃发展，人们对能量的转化和应用的管理需求也逐渐增加。在对电压、电流的运用控制方面，功率器件起到了至关重要的作用。功率器件及装置在新型电力电子器件已经广泛应用于电机控制、逆变器、变频器、新能源汽车、轨道交通、太阳能发电及风力发电等领域中将发挥重要作用。其中代表性功率器件有MOSFET、IGBT。功率器件工作时环境为大功率、高电流、电压、高频次、高热度等复杂环境，因此对产品质量和稳定性要求较高。对与功率器件制造封装工艺本身要求都是极为严苛的。Hiwave就功率电子元器件和功率模组分层缺陷失效分析和超声SAM检测技术应用展开论述。

功率器件封装体是由芯片等组成，引线，承载体（框架或者基板）等材料组成。这次不同材料由于材质不同，工件在工作中产产生的温度变化时的膨胀系数不一致，会导致在接合面存在内应力的问题。如果内应力过大，会导致分层，开路，裂片等一些失效。更严重的情况下，在大尺寸封装体上会出现明显的翘曲。超声波扫描显微镜SAM检测是分析功率器件内部缺陷的常用设备。